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混合硅激光器可用于批量生产光学器件
2021-02-26 05:54
本文摘要:在硅晶片上生产制造半导体激光器是电子产业一直以来的总体目标,但事实上这类生产工艺流程具有趣味性。如今,A*STAR研究室的科学研究工作人员产品研发了一种新的生产制造方式,这类方式便宜、比较简单并且扩展性强悍。 混和硅激光器将III-V族半导体(如氮化镓和磷化铟)的闪动特点与成熟的硅生产制造技术相结合。这种激光器引起了非常大的瞩目,由于他们能够将光量子和微电子元器件搭建在一个单一的硅处理芯片,获得质优价廉、可大批量生产的电子光学器件。

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在硅晶片上生产制造半导体激光器是电子产业一直以来的总体目标,但事实上这类生产工艺流程具有趣味性。如今,A*STAR研究室的科学研究工作人员产品研发了一种新的生产制造方式,这类方式便宜、比较简单并且扩展性强悍。

混和硅激光器将III-V族半导体(如氮化镓和磷化铟)的闪动特点与成熟的硅生产制造技术相结合。这种激光器引起了非常大的瞩目,由于他们能够将光量子和微电子元器件搭建在一个单一的硅处理芯片,获得质优价廉、可大批量生产的电子光学器件。他们具有广泛的运用于市场前景,从短路线数据通讯到髙速、远距离光传送。

殊不知,在现阶段的加工过程中,在分离的III-V半导体芯片上生产制造激光器,随后将其分离指向每一个硅器件——它是用时又划算的加工工艺,允许了处理芯片上激光器的总数。为了更好地处理这种局限,来源于A*STAR数据储存研究室的DorisKeh-TingNg以及朋友产品研发了一种作为生产制造混和III-V半导体和导体和绝缘体上硅塑料薄膜(SOI)电子光学微腔的艺术创意方式。

这大幅度降低了生产工艺流程的多元性,使器件构造更加灵便。500nm直徑微盘的倾斜角扫瞄透射电镜图象。照片由A*STAR数据储存研究室获得“转印全部内腔是十分有趣味性的,”Ng讲到。

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“现阶段,没一个单一的转印秘方和掩膜,允许能在全部微腔转印,因此 大家规定产品研发一种新的方式。”根据最先用以SOI固层快捷键通加工工艺将III-V半导体塑料薄膜吸咐到二氧化硅(SiO2)芯片上,他们造成较强的键合,防止了对还原剂如食人鲳光刻液或盐酸的务必。

并且根据用以双软掩膜技术性来转印到预估层的微腔,她们防止了用以多种覆盖范围光刻和转印周期时间的回绝——这是一个具有趣味性的全过程。Ng表明讲到:“大家的方式提升了生产制造流程数,提升了危险因素化工品的用以,而且全部全过程只务必一个光刻流程来顺利完成。”该工作中初次引入了一种新的异质性核配置和搭建生产工艺流程,它将超低温SiO2固层键合与双软掩膜、单光刻图案设计结合一起。Ng讲到:“这一全过程不但能生产制造出有异质性核器件,并且大大减少了生产工艺流程的可玩度,而且能够做为研究领域的另一种混和微腔用以。


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