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未来高频电源的设计思维!|亚博ag到账速度快的
2020-12-12 05:54
本文摘要:前边早就搞清楚后,大家再作来进行围绕电源MOS的成本费及可信性层面;FLY-反激变换器有二种经营模式:电感器电流量到数模式(CCM)和电感器电流量间歇性模式(DCM)。可是,相较为CCM模式来讲,DCM模式促使初中级电流量的RMS减少,这可能扩大MOS管的通断耗损,另外不容易降低次级线圈键入电容器的电流量变形。

模式

我愿大家的IC进行设计剖析表述:基础的反激变换器电路原理图以下下图,在务必对I/O进行电气设备阻隔的较低输出功率<75W~的电源开关电源运用于场所,反激变换器(FlybackConverter)是最常见的一种流形构造(Topology)。比较简单、可靠、降低成本、更非常容易搭建是反激变换器引人注意的优势;接下去我将电源的重要一部分的设计进行表述!前边早就搞清楚后,大家再作来进行围绕电源MOS的成本费及可信性层面;推算出来变电器的重要主要参数,拿下FLY的主构架的设计!我的IC工作中频率67KHZ(大家的IC有多种多样频率额外67KHZ/100KHZ/130KHZ等)现阶段的设计随意选择为各生产厂家规范化的工作中频率67KHZ;应用PWM+PFM操控模式,系统软件有不错的高效率;不错的关机功能损耗等!在设计以前,我再作来修复顾客常问我的一个难题:电源开关电源为何常常随意选择67K或是100K上下范畴做为电源频率,有些人会讲到IC生产厂家全是生产制造那样的IC,自然这也是有缘故。

每一个电源的电源频率不容易规定哪些?针对很多年的IC及各生产厂家的IC运用于科学研究,我明确指出我的见解:大家理应从这好多个层面去逻辑思维缘故:A.有些人讲到频率低了EMC难过,一般来说是那样的,但这不是必然,EMC与频率显而易见有关系,但并不是必然。高频率的IC的EMI是我经常具体指导顾客拿下它!B.再作来想像大家的电源电源开关频率提高了,必需带来的危害是啥?注意:自然是MOS开关损耗减少,由于单位时间电源频次猛增了。

假如频率扩大了会带来哪些?开关损耗是扩大了,可是大家的储能器件单周期时间获得的动能就需要猛增,不至于务必的变电器带磁要更高,储能技术电感器要更变大。选择在67K到100K上下便是一个比较合适的工作经验折中,电源便是在折中合理性折中进行。

现阶段销售市场上的大部分IC的作用及扩展槽界定都完全一致;规范化的工作中频率及扩展槽界定为商品的规范化设计带来方便快捷;提高了设计和同行业的转换概率!C.倘若在相近情况下,输出电压比较较低,开关损耗早就较变小,还在意这一点开关损耗吗,那大家就可以提高电源频率,起着扩大带磁元器件容积的目地。D.大家用以过PI的电源IC;在未来固执系统软件成本费,其电源频率为132KHZ;可用以小的变压器结构提升电源容积;注意:电源开关电源的频率的随意选择如何做都能够,要是能有效用以。

能让你的设计带来低的设计可信性及实用性;降低设计项目成本是最重要的!针对电源开关电源高频率层面的关键点可参考文章内容:《未来高频电源的设计思维!》转到主题FLY-电源开关电源的设计大家经常不容易工作中在下图例的情况;DCM与CCM模式;FLY-反激变换器有二种经营模式:电感器电流量到数模式(CCM)和电感器电流量间歇性模式(DCM)。二种模式都有优点和缺点,相对来说,DCM模式具有更优的电源特点,次级线圈整流二极管零电流量软启动器,因而也不存有CCM模式的二极管反向恢复的难题。除此之外,同输出功率级别下,因为DCM模式的变电器比CCM模式储存的动能较少,故DCM模式的变电器规格更为小。

可是,相较为CCM模式来讲,DCM模式促使初中级电流量的RMS减少,这可能扩大MOS管的通断耗损,另外不容易降低次级线圈键入电容器的电流量变形。因而,CCM模式常常被举荐用以在髙压大电流量键入的场所,DCM模式常常被举荐用以在髙压-小电流量键入的场所。对CCM模式反激变换器来讲,輸出到键入的电压增益代表着由频率规定。

而DCM模式反激变换器,輸出到键入的电压增益是由频率和特性阻抗标准另外规定的,这促使DCM模式的电源电路设计看起来更为简易。可是,如果我们在DCM模式与CCM模式的临界值处(BCM模式)、输出电压小于(Vinmin_DC)、装车标准下,设计DCM模式反激变换器,就可以使难题看起来流于形式。因此,不管反激变换器工作中于CCM模式,還是DCM模式,大家都能够依照CCM模式进行设计。

我的设计递归计算結果以下:进行主要参数设计时;好多个重要主要参数参考下图MOS管软启动器时,输出电压Vin与次级线圈光源工作电压nVo协同转换在MOS的DS两边。仅次频率Dmax确定后,光源工作电压Vor(即nVo)、次级线圈整流二极管承受的仅次工作电压VD及其MOS管承受的仅次工作电压Vdsmax,可由下式得到 :根据上边公式计算,由此可见:Dmax给出就越小,Vor就越小,从而MOS管的变形就越小,殊不知,次级线圈稳压管的工作电压变形却减少。

因而,大家应当在保证 MOS管的充裕裕量的标准下,尽可能减小Dmax,来降低次级线圈稳压管的工作电压变形。Dmax的给出,应当保证 Vdsmax不高达MOS管抗压级别的80%;另外,针对最高值电流量模式操控的反激变换器,CCM模式标准下,当频率高达0.5时,不容易再次出现次谐波电流起伏。综合性充分考虑,针对抗压数值650V的MOS管,设计中,Dmax不高达0.5为宜。递归计算出去涉及到数据信息要求参考我的EXCEL推算出来报表!。


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